型號：AT650P/850P(等離子體增強型）      AT650T/850T（熱型）

AT650T/850T可在用戶現(xiàn)場升級為AT650P/850P

技術參數(shù)：

·小型桌面等離子體型 

·基體溫度高達400℃ 

·具有空心陰極源

       更快生長速率

       更高電子密度

       更低等離子體損傷

       更少氧氣污染 

·配置高頻率射頻的空心等離子體 

·以熱型ALD成本提供經濟實惠的等離子體系統(tǒng) 

·3種有機金屬源(可加熱至185℃),1個常溫源(可升級至185℃)和最多4種氧化劑/還原劑源

·耐高溫的快速脈沖ALD閥門，配備超快MFC進行集成惰性氣體吹掃-標配 

·高達6英寸或8英寸的基板，并可提供定制卡盤/底座

·靜態(tài)反應模式下可實現(xiàn)高覆蓋

可供選項：

·定制卡盤/底座 

·QCM(石英晶體微天平) 

·為您的瓶子設計起泡器 

·負載鎖(或手套箱接口) 

·共反應物線(MFC控制)(最多可增加2條) 

·額外升級前驅體加熱管線至185℃,共4條

   咨詢可定制系統(tǒng)

客戶案例：

全球100多家用戶，多家重復購買的用戶：

哈佛大學

赫爾辛基大學（Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen）

泛林集團 (LAM) （3臺以上）

牛津大學（2臺以上， Prof Sebastian Bonilla）

國立材料科學研究所(日本，多臺)

東京大學(多臺)

早稻田大學(多臺)

西北大學(美國)

劍橋大學(英國)

萊斯大學

英屬哥倫比亞大學(加拿大)

ENS-Paris(法國、高等師范學院)

北京量子研究院

北京大學

布里斯托大學（英國）

謝菲爾德大學等等

重復購買客戶的具體運用：

1.  早稻田大學 (Waseda University) (日本東京) - 傳感器、表面改性、納米壓印光刻、優(yōu)良通孔制造 (AIST) – 日本茨城縣

2.  早稻田大學 (Waseda University) (日本東京) – 系統(tǒng) #2；類似應用。日本神奈川縣橫濱國立大學 (Yokohama National University)

13. 國立材料科學研究所 (NIMS) #1 (日本茨城縣) - 表面和薄膜中的聲子；原子尺度低維等離激元學；納米材料中的自旋軌道分裂

14. 國立材料科學研究所 (NIMS) #2 (日本茨城縣) - 碳納米管中的自旋相關輸運；納米間隙制造和分子輸運；石墨烯中的帶隙工程；有機晶體管

21. 私人公司 (Private Company) (美國俄勒岡州波特蘭) - TEM 樣品制備；HfO2, Al2O3, Ta2O5

22. Precision TEM (美國加利福尼亞州圣克拉拉) - TEM 樣品制備；HfO2, Al2O3

43. 私人公司 TK (Private Company TK) (日本宮城縣) - TEM 樣品制備

44. 私人公司 (Private Company) (美國俄勒岡州波特蘭) - TEM 樣品制備；HfO2, Al2O3, Ta2O5

45. 東京大學 (University of Tokyo) (日本) – 優(yōu)良 ALD 工藝

93. 東京大學 (University of Tokyo) – 日本東京 – Dr. Onaya

91. 泛林集團 (LAM Research) – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁 (Tualatin)

97. 泛林集團 (LAM) 系統(tǒng) #2 – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁

98. 泛林集團 (LAM) 系統(tǒng) #3 – 美國俄勒岡州圖瓦拉丁

99. 牛津大學 (University of Oxford) – 英國牛津 - Prof Sebastian Bonilla

100. 德島大學 (Tokushima University) (日本)

101. 赫爾辛基大學 (University of Helsinki) (芬蘭) Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen

102. 應用材料公司 (AMAT - Applied Materials) – 美國

103. 牛津大學 (University of Oxford) (英國牛津)